本发明涉及薄膜技术。本发明解决了目前针对薄膜损伤根源的判断需要通过激光烧蚀实验造成有损检测或目前采用理论分析过程判断薄膜损伤根源非常繁杂的问题，提供了一种基于电介质薄膜漏电特性的激光诱导损伤根源判定方法，其技术方案可概括为：在硅基底上模拟光学元件表面的薄膜，并制作金属电极构成MOS结构，对其输入电压，由低至高调节输入电压，检测并记录相应的漏电电流，计算出该薄膜的电场强度及漏电电流密度，拟合ln(J)与E1/2的关系图及ln(J/E)与E1/2的关系图，判断其中ln(J)与E1/2及ln(J/E)与E1/2是否呈直线关系。本发明的有益效果是：可以不需要对薄膜进行有损检验，适用于判断薄膜损伤根源。