本发明涉及薄膜技术。本发明解决了目前光学薄膜的抗激光损伤能力对比时结果精度不高，且耗时较多的问题，提供了一种基于电介质薄膜电容特性的抗激光损伤能力的比较方法，其技术方案可概括为：针对欲对比的处于光学元件表面的至少两个薄膜，分别在硅基底上模拟镀制对应的相同厚度的薄膜，然后分别制作金属电极构成MOS电容结构，采用半导体标志系统测试各MOS结构的高频电容?电压曲线，得到各归一化电容与电压的变化曲线，对比各归一化电容与电压的变化曲线，判断其中平带电压向正电压方向移动******的那一个变化曲线对应的薄膜为抗激光损伤能力******的薄膜。本发明的有益效果是：简单实用，适用于判断薄膜抗激光损伤能力。