本发明提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管（Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor，RC?IGBT）器件，其背面含有与发射极相连的用于辅助耗尽的槽型栅极结构。所述槽型栅极结构中的导体区采用重掺杂的第二种导电类型的多晶半导体材料，所述导体区与漂移区的内建电势差使两个所述槽型栅极结构之间的漂移区耗尽，增加从漂移区到第一导电类型的集电区的电子通路上的电阻，从而抑制折回（snap?back）现象。