本发明提供了一种半导体功率器件，包括在器件的特征层和导电的接触层之间的耐压层，其特征在于所述耐压层包括至少一个第一导电类型的第一种半导体区和至少一个第二导电类型的第二种半导体区，所述第一种半导体区含有第一种半导体材料，所述第二种半导体区含有第二种半导体材料，所述第二种半导体材料具有比所述第一种半导体材料更高的禁带宽度和更高的临界击穿电场。本发明的耐压层是一种新的超结耐压层。与传统超结耐压层相比，本发明的耐压层可提高击穿电压抵抗电荷非平衡影响的能力，还可获得更优的比导通电阻与击穿电压的关系。