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本发明公开了一种提高铁锰硅基形状记忆合金可恢复应变的方法,属形状记忆合金领域。本发明制备的铁锰硅基形状记忆合金的可恢复应变不低于6%。具体步骤如下:先将经锻造或轧制或拉拔的铁锰硅基形状记忆合金在1250℃~1310℃处理0.5小时至3小时;随后以0.1℃每分钟~10℃每分钟的速度冷却至1000℃~1200℃后水冷至室温。经该方法处理后铁锰硅基形状记忆合金的奥氏体晶粒平均尺寸≥500微米。
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