本发明提供了一种大规模无定形硅颗粒的制备方法，所述无定形硅颗粒生长在单晶碳化硅表面，所述制备方法包括如下步骤：S100：对单晶碳化硅片进行加热处理；S200：当所述密封环境的温度升温至500℃‑2000℃后，进行保温处理；所述保温处理的时间为1s‑100h；S300：保温结束后，进行降温处理；降至室温后即可得到生长在单晶碳化硅表面的大规模无定形硅颗粒。本发明生产设备简单，与现有的离子轰击法、激光辐射和激光打印技术相比，不需要离子束或者激光束设备，成本低廉。该制备方法可以同时适用于实验室研究和工厂大量生产。