本发明公开了一种制备粗晶铁锰硅基形状记忆合金的方法，属形状记忆合金领域。本发明制备的铁锰硅基形状记忆合金的奥氏体晶粒平均尺寸≥1毫米。具体步骤如下：（1）先将铁锰硅基形状记忆合金在1260℃~1300℃处理5分钟至1小时；（2）然后循环以下处理过程不低于一次：以0.1℃每分钟~10℃每分钟的速度冷却至1100℃~1200℃并处理5分钟至30分钟；接着以0.1℃每分钟~10℃每分钟的速度加热至1260℃~1300℃并处理5分钟至1小时；（3）最后以0.1℃每分钟~5℃每分钟的速度冷却至1150℃~1200℃后水冷至室温。