本发明属于一种利用光生伏打效应，将光能直接转变为电能的半导体器件，也称之为光伏太阳电池或太阳电池，属于新型薄膜太阳电池的结构设计和制备之技术领域。传统的碲化镉太阳电池在目前的结构下，其短路电流密度接近极限电池背面因为金属电极的存在导致光无法穿透被电池利用。要进一步提升电池的短路电流密度，一个可行的新结构是用使用硅或者锗基片作为衬底，在两面同时制备太阳电池，实现双面均可吸收利用太阳光。本发明全面考虑了半导体的电子亲和势及能隙，以及掺杂效应和可能的费米能级位置，提出了双面三端子碲化镉太阳电池的结构。本发明旨在基片两侧同时制备碲化镉太阳电池，可以快速制备出更高短路电流密度的太阳电池。