本发明提供了一种211相Mn+1AXn化合物，所述211相Mn+1AXn化合物具有堆垛层状结构；所述211相Mn+1AXn化合物的单层厚度为1nm~100nm，其中M为过渡金属，A为IIIA或IVA族元素，X为C或N；n为自然数。本发明还提供该211相化合物的制备方法。本发明的堆垛的层状形貌的Mn+1AXn化合物更利于刻蚀，便于得到MXene。本发明的制备方法简单，设备价格低廉，与现有的物理制备工艺相比，不需要昂贵的电子设备和繁杂的操作流程，生产成本非常低廉。