本发明公开了一种半导体激光器及其制作方法，该方法包括：在衬底的第一表面上形成外延层，制得外延片；在外延片上形成脊形图形掩膜层；将形成脊形图形掩膜层的外延片置于具有保护气的反应室中进行刻蚀；通入第二气体，在外延片的刻蚀面及刻蚀壁上生长防氧化层；去除外延片上的脊形图形掩膜层；其中，保护气及第二气体为非含氧气体。通过将形成脊形图形掩膜层的外延片置于具有保护气的反应室中进行刻蚀，从而可以使得外延层在刻蚀时，刻蚀面及刻蚀壁不会被氧化；且在刻蚀完成后，在外延片的刻蚀面及刻蚀壁上生长防氧化层，可以进一步通过防氧化层将刻蚀面及刻蚀壁遮盖的方式防止外延片在拿出反应室后刻蚀面及刻蚀壁被空气氧化。