本发明“一种大面积共蒸发源的阵列设计”属于采用热蒸发制备大面积固体薄膜及半导体薄膜时所用源的发明。采用热蒸发制备多组份薄膜时，为避免成份的偏离，实验室常采用共蒸发的方法加以避免，通过增加单个源的数量进行环状或呈一定角度排布，可以较大程度的保证沉积薄膜的厚度均匀性。这种排布方式在大生产中将面临无法进行在线换源，无法保证源排布的平整和均匀，尤其在源与衬底间距较小的情况下，增加源在运动中进行蒸发沉积的难度。鉴于以上情况，本申请发明提出了一种新的大面积共蒸发源的阵列设计，该阵列可以作为一个整体进行运动，在既可保证沉积薄膜厚度均匀性的同时，可实现静态或动态蒸发沉积薄膜，更能实现源的在线更换。