本发明提供了一种超结IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）器件，其耐压层与基区之间有第一导电类型的载流子存储层，其元胞内还集成了第二导电类型的MISFET（Metal?Insulator?Semiconductor Field Effect Transistor，金属?绝缘体?半导体场效应晶体管），其中至少一个所述MISFET的栅与发射极相连。所述MISFET在较小的正向导通电压下截止，帮助降低导通压降。所述MISFET在正向导通电压稍高或正向阻断时能为第二种导电类型载流子提供通路并避免所述载流子存储层承受高电场，帮助提高可靠性。