本发明公开了一种基于动态调控等效能级的太赫兹宽频带负折射率超材料的设计方法。该方法利用特定的五层谐振单元结构实现动态调控太赫兹宽频带负折射率超材料设计，其谐振单元结构从下到上包括：第一层为半导体环形孔结构；第二层为金属谐振结构；第三层为介质层；第四层为与第二层相同的金属谐振结构；第五层为与第一层相同的半导体环形孔结构。根据该超材料谐振单元结构的等效能级与外部激励的对应关系，即：当超材料没有受到外部激励时，超材料可等效为两个等效能级；当超材料受到外部源激励时，超材料可等效为四个等效能级。利用不同外部激励方式（电控、温控、光控和压控等）对超材料的等效能级进行动态调控，进而实现超材料负折射率的动态调控。