本发明公开了一种宽光谱CdTe/Si化合物异质结太阳电池的新结构。通过选用厚度为50微米～300微米，导电类型为p‑型，电阻率为0.5Ωcm～50Ωcm的单晶硅片做衬底，然后分别在其正面依次沉积CdTe薄膜和透明导电氧化物（TCO）薄膜，在其背面依次沉积宽带隙Ⅱ‑Ⅵ族半导体背接触层薄膜和金属电极，形成基本结构为TCO/CdTe/Si/背接触层/金属的宽光谱CdTe/Si化合物异质结太阳电池。本发明提出的新结构太阳电池，具有制作简单、与太阳光谱匹配好且光谱响应范围宽300nm～1100nm、转换效率高、成本低廉的特点，特别适合于弱光下的应用。