网站首页 > 专利信息
本发明公开了一种用于低倍聚光碲化镉薄膜太阳电池组件的方法,属于化合物半导体薄膜太阳电池的结构设计技术领域。通过用脉冲Nd:YAG激光对具有完整器件结构的CdTe薄膜太阳电池进行激光刻划,得到面积可调的单元电池,通过用低温银浆结合金属焊接的方式引出金属背电极,用焊带将各子电池按照符合不同聚光比聚光器所需间隔进行串联集成,从而形成专用于低倍聚光组件的碲化镉薄膜太阳电池组件。
联系电话:028-87659663 028-85404682 028-85460925 邮箱:cdjz617@126.com
办公地址:四川省成都市武侯区科华街10号四川大学国家高新技术孵化平台609
成都川大技术转移集团有限公司
蜀ICP备11025552号-1
Copyright © 2007-2011 技术支持:成都网络公司-三以网络