
网站首页 > 专利信息
本发明提供一种太赫兹辐射的激发方法,包括以下步骤:步骤1:将电子束与高密度等离子体注入介质慢波结构中;步骤2:电子束驱动等离子体尾场对电子束进行横向和纵向的调制,形成周期分布的短脉冲电子束;步骤3:使短脉冲周期电子束与系统内的高次本征模同步,然后两者耦合,从而激发太赫兹辐射。本发明方法具有高功率、高效率、频率可调、无需外加强磁场、辐射相干性好、不限制器件尺寸。
联系电话:028-87659663 028-85404682 028-85460925 邮箱:cdjz617@126.com
办公地址:四川省成都市武侯区科华街10号四川大学国家高新技术孵化平台609
成都川大技术转移集团有限公司
蜀ICP备11025552号-1
Copyright © 2007-2011 技术支持:成都网络公司-三以网络