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本发明属于半导体材料与器件领域,特别涉及一种半导体薄膜的制备方法。提出一种采用磁控溅射装置,通过CdS靶和铜靶共溅射,室温沉积,及后续退火处理;或原位生长共溅射,及后续保压处理,以获得高质量p型CdS薄膜。所述室温沉积,指的是基片温度为室温,将溅射完毕的样品在氮气或惰性气体保护下退火250℃~400℃,保温10~30分钟再冷却。所述原位生长指的是基片温度为150℃~400℃,将溅射完毕的样品在溅射室内保持气压10~30分钟再自然冷却到。本发明改善了现有技术中掺铜浓度不容易控制、掺杂不均匀等问题,而且制备的薄膜载流子浓度高,大大提高了p型CdS的质量。本发明工艺稳定,操作简单,实用价值高,成本低,易工业化生产。
本发明为一种p型硫化镉薄膜的制备方法,采用磁控溅射装置,其特征在于制备工艺步骤如下:(1)安装靶材和基片将CdS靶和铜靶分别固定在溅射装置对应的两个靶位置上,将基片表面清洗处理后,固定在基片位置上;(2)制备CdS:Cu薄膜通过室温沉积,或原位生长,在基片上共溅射CdS和Cu,获得CdS:Cu薄膜;(3)后处理CdS:Cu薄膜将溅射获得的CdS:Cu薄膜取出,进行后续退火处理,或进行后续保压处理,随后自然冷却到室温,即获得p型CdS薄膜。
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