本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括：衬底，衬底的第一表面上排布有多个图形结构，图形结构突出于衬底的第一表面；外延层，外延层沿衬底上形成有图形结构的第一表面外延生长形成；外延层中形成有有源层，图形结构上方的有源层的厚度小于图形结构之间的有源层的厚度；绝缘层，设置于外延层对应图形结构上方的区域；第一电极，设置于外延层及绝缘层上方。通过在衬底的第一表面上制作多个图形结构，利用图形结构上方区域和图形结构之间区域生长速率的差异，形成非吸收窗口，简化了制作非吸收窗口的步骤，并且仅通过一次外延生长即可得到正常生长的激光器结构和作为非吸收窗口的激光器结构，工艺的效率和良率均得到提高。