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一种含有背面槽型介质及浮空区的逆导型IGBT

http://www.gxyqy.com/ 2020-4-22 16:31:27 成都川大技术转移集团有限公司阅读次数：195次

本发明提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管（Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor，RC‑IGBT）器件，其含有背面槽型绝缘介质。所述背面槽型绝缘介质侧面与第二导电类型的浮空区直接接触，所述背面槽型绝缘介质的顶部与第二导电类型的浮空区或第一导电类型的终止环直接接触。所述浮空区用于抑制折回（snap‑back）现象。

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